УДК 621.382+519.6

В. А. Сизюк1), Г. В. Милошевский2),
И. Ю. Смуров3)

РАСЧЕТ ВЛИЯНИЯ СКОРОСТИ ИНЖЕКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНУЮ ХАРАКТЕРИСТИКУ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ nc-Si/CaF2 МЕТОДОМ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ВЫЧИСЛЕНИЙ
На основе метода Монте-Карло разработана теоретическая модель процессов переноса заряда в многослойной структуре nc-Si/CaF2. Построенная самосогласованная модель позволила исследовать влияние скорости инжекции носителей заряда и высоты потенциального барьера диэлектрика на вольт-амперную характеристику структуры. Рассчитана зависимость скорости инжекции из контакта от приложенного внешнего напряжения. Основная проблема (большое время счета) теоретической модели решена за счет организации параллельных вычислений в разработанном коде SIMPS. Представлена реализация кода SIMPS, написанного на языке программирования Fortran-95, на компьютерном кластере для параллельных вычислений с распределенной памятью. Результаты расчетов демонстрируют возрастание в скорости вычислений с увеличением числа процессоров. 1)Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси, г. Минск; э-почта: sva@hmti.ac.by ; 2) Department of Chemistry, Brandeis University, Waltham, Massachusetts, USA; э-почта: miloshevsky@yahoo.com; 3)Ecole Nationale d'Ingenieurs de Saint-Etienne, France; э-почта: smurov@imp-odeillo.fr. Поступила 16.05.2001. IFZH7492020024 IFZH749204