УДК 519.2:541.1

Г. А. Тарнавский

ДИЗАЙН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ. СЕГМЕНТ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА: ОТЖИГ БАЗОВОЙ ПОДЛОЖКИ И ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ
Для одного из производственных сегментов конструирования полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами выполнено компьютерное моделирование ряда основных технологических физико-химических процессов. С использованием высокоразрешающих алгоритмов исследованы динамика термического окисления базового материала (кремния) и эволюция границ пленки окисла SiO2/Si и SiO2/O2. Проведено моделирование процесса сегрегации акцепторных и донорных легирующих примесей (бора и фосфора) в базовом материале на фронте волны окисления SiO2/Si. Для геометрии поверхности подложки типа "траншея" получены распределения концентраций бора и фосфора. Показано, что равномерное в начальный момент времени распределение концентраций легирующих примесей в базовом материале трансформируется в распределение с узколокализованными (шириной около 65 нм) пиками высокой интенсивности. Подобные наноструктуры донорных и акцепторных примесей в подложке обеспечивают требуемые полупроводниковые электрофизические свойства материала. Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН. 630060, г. Новосибирск, просп. Лаврентьева, 6; э-почта: Gennady.Tarnavsky@gmail.com. Поступила 05.10.2006, в окончательной редакции - 14.11.2007.