УДК 621.383.52:535.243

О. А. Абдулхаев, Г. О. Асанова, Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов

ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР С ПОТЕНЦИАЛЬНЫМИ БАРЬЕРАМИ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
На основе кремния с толщиной базовой области 300 мкм изготовлены фотопреобразовательные Au<196>nSi<196>Au-структуры с потенциальными барьерами. Полученные диодные структуры обладают высокой фоточувствительностью в области спектра 0.9-1.1 мкм при малых интенсивностях освещения 10 лк (до 5 А/Вт). На основе проведенных исследований фотоэлектрических характеристик установлено, что Au-nSi-Au-структуры в интервале температур от комнатной до 40 С при малых рабочих напряжениях (0.1-0.2 В) различаются слабой температурной зависимостью фототоков. В принципе в спектральном диапазоне 0.7-1.1 мкм полученные диодные Au-nSi-Au-структуры вполне могут заменить в оптоэлектронных устройствах как арсенидгаллиевые, так и классические кремниевые фотодиоды с одним выпрямляющим переходом. Ключевые слова: фотоэлектрические характеристики, фототок, потенциальные барьеры, базовая область, кремний, фотодиодная структура. Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" им. С. А. Азимова АН Республики Узбекистан. 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йули, 2б; э-почта: karimov@uzsci.net. Поступила 05.08.2011.