ТОМ 44, №3
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 2. Исследование процессов движения носителей зарядов в ячейке И2Л
Автор: Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр: 474
			
Абрамов И. И., Харитонов В. В. . 
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 2. Исследование процессов движения носителей зарядов в ячейке И2Л // Инженерно-физический журнал. 
. ТОМ 44, №3. С. 474. 
		Возврат к списку
 																												
