ВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА НА ОПТИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ ИНДИЯ И МЫШЬЯКА

Исследованы оптические и структурные свойства слоев кремния, имплантированных ионами индия и мышьяка и подвергнутых импульсному лазерному отжигу. С использованием методов резерфордовского обратного рассеяния и каналирования показано, что после импульсной лазерной обработки имплантированных слоев кремния доля атомов индия и мышьяка в решетке кремния составляет 31–35%. По спектрам поглощения излучения имплантированными и отожженными слоями кремния установлено, что в ближнем ИК диапазоне (1.1–2.4 мкм) степень поглощения излучения этими слоями больше на несколько порядков величины по сравнению с исходными слоями (эффективность поглощения составляет 50–60%). В среднем ИК диапазоне (3–25 мкм) эффективность поглощения квантов света легированным слоем кремния выше примерно в три раза по сравнению с нелегированным при плотности энергии лазерных импульсов 2.0–2.5 Дж/см² . В спектрах фотолюминесценции слоев кремния обнаружена широкая полоса в области 1.1–1.6 мкм. 
  Автор:  Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко, П. В. Кучинский, А. Е. Альжанова, М. А. Моховиков, E. Wendler
Ключевые слова:  гипердопированный кремний, импульсный лазерный отжиг, резерфордовское обратное рассеяние, спектры поглощения излучения, фотолюминесценция
Стр:  758