ТОМ 83, №4
ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА
Комбинация двух методов - лазерной модуляции и 3ω - была использована для определения теплоемкости, теплопроводности и температуропроводности наноструктур оксида цинка. Обнаружено существенное различие тепловых параметров наноструктур оксида цинка, выращенных различными технологическими методами. Показано, что относительно низкие значения теплопроводности и температуропроводности наноструктур оксида цинка обусловлены как внутренними дефектами, так и сопротивлением контакта между пленкой и ее основанием - подложкой.
Автор: Х. Т. Игамбердиев, Ш. У. Юлдашев, C. C. Курбанов, T. W. Kang, П. К. Хабибуллаев, Ш. М. Рахимова, В. О. Пеленович, А. Г. Шашков
Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, оксид цинка, наноструктура, теплопроводность, температуропроводность, теплоемкость, контактное тепловое сопротивление.
Стр: 809
Х. Т. Игамбердиев, Ш. У. Юлдашев, C. C. Курбанов, T. W. Kang, П. К. Хабибуллаев, Ш. М. Рахимова, В. О. Пеленович, А. Г. Шашков.
ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 83, №4. С. 809.
Возврат к списку