ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА

Комбинация двух методов - лазерной модуляции и 3ω - была использована для определения теплоемкости, теплопроводности и температуропроводности наноструктур оксида цинка. Обнаружено существенное различие тепловых параметров наноструктур оксида цинка, выращенных различными технологическими методами. Показано, что относительно низкие значения теплопроводности и температуропроводности наноструктур оксида цинка обусловлены как внутренними дефектами, так и сопротивлением контакта между пленкой и ее основанием - подложкой.
Автор:  Х. Т. Игамбердиев, Ш. У. Юлдашев, C. C. Курбанов, T. W. Kang, П. К. Хабибуллаев, Ш. М. Рахимова, В. О. Пеленович, А. Г. Шашков
Ключевые слова:  разбавленные магнитные полупроводники, оксид цинка, наноструктура, теплопроводность, температуропроводность, теплоемкость, контактное тепловое сопротивление.
Стр:  809