ДИЗАЙН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ. СЕГМЕНТ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА: ОТЖИГ БАЗОВОЙ ПОДЛОЖКИ И ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ

Для одного из производственных сегментов конструирования полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами выполнено компьютерное моделирование ряда основных технологических физико-химических процессов. С использованием высокоразрешающих алгоритмов исследованы динамика термического окисления базового материала (кремния) и эволюция границ пленки окисла SiO₂/Si и SiO₂/O₂.Проведено моделирование процесса сегрегации акцепторных и донорных легирующих примесей (бора и фосфора) в базовом материале на фронте волны окисления SiO₂/Si. Для геометрии поверхности подложки типа "траншея" получены распределения концентраций бора и фосфора. Показано, что равномерное в начальный момент времени распределение концентраций легирующих примесей в базовом материале трансформируется в распределение с узколокализованными (шириной около 65 нм) пиками высокой интенсивности. Подобные наноструктуры донорных и акцепторных примесей в подложке обеспечивают требуемые полупроводниковые электрофизические свойства материала.
Автор:  Г. А. Тарнавский
Стр:  994