ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСЛОЙНЫХ ФОТОДИОДНЫХ pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au-СТРУКТУР

Исследованы фотоэлектрические характеристики фотодиодных pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au-структур. Экспериментально показано, что благодаря включению потенциального барьера nGaAs-Au навстречу к гетеропереходу (p(Al_0.08Ga_0.82)0.9In_0.1As-nGaAs) обеспечивается внутреннее фотоэлектрическое усиление. В режиме прямого смещения p-n-перехода p(Al_0.08Ga_0.82)_0.9In_0.1As-nGaAs-Au-структура работает как инжекционный фотодиод, а в режиме обратного смещения p-n-перехода - как фотодиод. Изучено влияние областей обеднения базовой области, содержащей глубокие примесные центры, на фоточувствительность и спектральный диапазон.
Автор:  Д. М. Ёдгорова, Ф. М. Ашрапов
Стр:  166