ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ p n– 4H SiC Al - - 〈 〉 СТРУКТУР, ЛЕГИРОВАННЫХ АЛЮМИНИЕМ МЕТОДОМ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ДИФФУЗИИ

Исследована энергия активации проводимости p–i–n-4H-SiC структуры, созданной путем легирования карбида кремния алюминием, выполненного новым методом низкотемпературной диффузии, в котором диффузия алюминия в карбиде кремния стимулируется потоком вакансий углерода и кремния, создаваемым в результате окисления поверхности кремния. 
  Автор:  Х. Н. Жураев, А. Юсупов, А. Г. Гулямов, М. У. Хажиев, Д. Ш. Саидов, Н. Б. Адилов
Ключевые слова:  4H-SiC, p–n-переход, низкотемпературная диффузия, энергия активации
Стр:  1072