ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА КОНДЕНСАТОРНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА SiO2-Ta2O5

Предложен вариант комбинированного диэлектрика для конденсаторов СБИС. Дан анализ его электрофизических и механических свойств. Рассмотрено влияние толщины каждого из диэлектриков на эффективный встроенный заряд, диэлектрическую проницаемость, пороговое напряжение. Особое внимание уделено остаточным механическим напряжениям в трехслойной диэлектрической системе, а именно: проанализировано влияние толщины пленки Ta2O5 на радиус кривизны системы Si-SiO2-Ta2O5, а также установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда в пленке Ta2O5 от радиуса кривизны пластины.
Автор:  В. А. Пилипенко, В. Н. Пономарь, Т. В. Петлицкая
Стр:  164