Расчет влияния скорости инжекции носителей на вольт-амперную характеристику многослойной структуры nc-Si/CaF2 методом параллельных вычислений

На основе метода Монте-Карло разработана теоретическая модель процессов переноса заряда в многослойной структуре nc-Si/CaF2. Построенная самосогласованная модель позволила исследовать влияние скорости инжекции носителей заряда и высоты потенциального барьера диэлектрика на вольт-амперную характеристику структуры. Рассчитана зависимость скорости инжекции из контакта от приложенного внешнего напряжения. Основная проблема (большое время счета) теоретической модели решена за счет организации параллельных вычислений в разработанном коде SIMPS. Представлена реализация кода SIMPS, написанного на языке программирования Fortran-95, на компьютерном кластере для параллельных вычислений с распределенной памятью. Результаты расчетов демонстрируют возрастание в скорости вычислений с увеличением числа процессоров.
Автор:  В. А. Сизюк, Г. В. Милошевский, И. Ю. Смуров
Стр:  133-141