Расчет тока затвора, обусловленного инжекцией горячих электронов в подзатворный окисел субмикронного МОП-полевого транзистора

Проведен расчет тока затвора субмикронного МОП-полевого транзистора с использованием модели "удачливых электронов", основные параметры которой оценены по результатам кинетического моделирования электронного переноса методом Монте-Карло.
Автор:  В. М. Борздов , Н. П. Борейко , В. О. Галенчик , О. Г. Жевняк , Ф. Ф. Комаров
Стр:  534-537