ТОМ 69,   №5

Стимулированный оптическим излучением эффект разделения зарядов на p-n переходе в системе алмазоподобный углерод-кремний


Исследуется возможность создания эффективных солнечных элементов на кремнии в системе алмазоподобный углерод-кремний. Выяснено, что необходимым условием является сохранение в легированной железом пленке углерода ближнего порядка алмазной решетки, согласованной с решеткой кремния, и образование на этой основе p-n перехода.

Автор:  И. В. Апанович
Стр:  738-740

И. В. Апанович.  Стимулированный оптическим излучением эффект разделения зарядов на p-n переходе в системе алмазоподобный углерод-кремний // Инженерно-физический журнал. . ТОМ 69, №5. С.  738-740.


Возврат к списку