ТОМ 89,   №2

ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ ИЗМЕРЕНИЯ


Приведены результаты экспериментального исследования температурной чувствительности отдельного перехода база–коллектор биполярной транзисторной структуры и этой структуры при последовательном соединении запираемого эмиттерного и коллекторного переходов. Показано, что коэффициент температурной чувствительности транзисторной структуры, работающей в двухполюсном режиме измерения, на порядок больше, чем аналогичный коэффициент перехода база–коллектор.

Автор:  А. В. Каримов, Д. Р. Джураев, Ш. М. Кулиев, А. А. Тураев
Ключевые слова:  биполярный транзистор, датчик температуры, температурная чувствительность, двух - полюсный режим
Стр:  497

А. В. Каримов, Д. Р. Джураев, Ш. М. Кулиев, А. А. Тураев .  ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ ИЗМЕРЕНИЯ  // Инженерно-физический журнал. 2016. ТОМ 89, №2. С. 497.


Возврат к списку